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VISHAY SISH536DN-T1-GE3 MOSFET, CAN N, 30V, 67,4A, POWERPAK 1212


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N. Articolo:
     8585-3677851
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SISH536DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0027 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 67.4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 26.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SISH536DN-T1-GE3, 3677851, 367-7851
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