Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3650276 N. Art. Produtt.:
SIHA5N80AE-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.17 ohm Gamma di prodotti E Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220FP Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 29 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SIHA5N80AE-GE3, 3650276, 365-0276 |
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