Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3639657 N. Art. Produtt.:
SIJH112E-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0023 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 225 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 333 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (19-Jan-2021) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SIJH112E-T1-GE3, 3639657, 363-9657 |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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