GENESIC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D MOSFET, SIC, CAN N, 1.7KV, 21A, 175W

Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.16 ohm Gamma di prodotti G3R Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-247 Corrente Continua di Drain Id 21 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 1.7 kV Dissipazione di potenza 175 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)