GENESIC SEMICONDUCTOR G3R160MT12J MOSFET, SIC, CAN N, 1.2KV, 22A, 128W

Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.16 ohm Gamma di prodotti G3R Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 22 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 128 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.69 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)