GENESIC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K MOSFET, SIC, CAN N, 1.2KV, 128A, 542W

Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.02 ohm Gamma di prodotti G3R Numero di pin 4 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-247 Corrente Continua di Drain Id 128 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 542 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.69 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)