GENESIC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J MOSFET, SIC, CAN N, 3.3KV, 4A, 74W

Tensione di test di Rds(on) 20 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1 ohm Gamma di prodotti G2R Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Corrente Continua di Drain Id 4 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 3.3 kV Dissipazione di potenza 74 W Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)