GENESIC SEMICONDUCTOR G3R40MT12J MOSFET, SIC, CAN N, 1.2KV, 75A, 374W

Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.04 ohm Gamma di prodotti G3R Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Corrente Continua di Drain Id 75 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 374 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.69 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)