Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3585589 N. Art. Produtt.:
BSH205G2AR EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.097 ohm Gamma di prodotti Trench Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 2.6 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-236AB Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 610 mW Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 650 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, BSH205G2AR, 3585589, 358-5589 |
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