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INFINEON IMBG120R350M1HXTMA1 MOSFET SIC, SINGOLO, CANALE N 1.2KV 4.7A


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N. Articolo:
     8585-3582467
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMBG120R350M1HXTMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor IGBT
Modulo IGBT
Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.35 ohm Gamma di prodotti CoolSiC Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4.7 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 65 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Moduli IGBT, FET di giunzione, Transistor, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), INFINEON, IMBG120R350M1HXTMA1, 3582467, 358-2467
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