Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-3577277 N. Art. Produtt.: BSC120N12LSGATMA1 EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0098 ohm Gamma di prodotti OptiMOS 2 Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 68 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TDSON Tensione Drain Source Vds 120 V Dissipazione di potenza 114 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.85 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, BSC120N12LSGATMA1, 3577277, 357-7277 |
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