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STARPOWER GD200HFX170C2S TRANSISTOR, MODULO IGBT, 1.7KV, 337A


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N. Articolo:
     8585-3549238
Produttore:
     STARPOWER
N. Art. Produtt.:
     GD200HFX170C2S
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.7 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente di Collettore continua 337 A Stile di Case del Transistor modulo Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.85 V Terminazione IGBT prigioniero Dissipazione di potenza 1.271 kW Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tecnologia Transistore IGBT Trench Field Stop Configurazione Transistore IGBT mezzo ponte Montaggio Transistore a pannello
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, Transistori, Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, STARPOWER, GD200HFX170C2S, 3549238, 354-9238
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