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STARPOWER GD200FFY120C6S TRANSISTOR, MODULO IGBT, 1.2KV, 309A


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N. Articolo:
     8585-3549236
Produttore:
     STARPOWER
N. Art. Produtt.:
     GD200FFY120C6S
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente di Collettore continua 309 A Stile di Case del Transistor modulo Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.7 V Terminazione IGBT montaggio a pressione Dissipazione di potenza 1.006 kW Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tecnologia Transistore IGBT Trench Field Stop Configurazione Transistore IGBT ponte intero trifase Montaggio Transistore a pannello
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, Transistori, Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, STARPOWER, GD200FFY120C6S, 3549236, 354-9236
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