Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3528524 N. Art. Produtt.:
NVMFS6H864NLT1G EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.024 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 22 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DFN Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 33 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NVMFS6H864NLT1G, 3528524, 352-8524 |
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| | Riepilogo condizioni1 | | | | Tempi di consegna | Stato magazzino | Prezzo | | | | | | | | a partire da € 1,79* | | | | Il prezzo è valido a partire da 15.000 pacchetti | | | | | | 1 pacchetto contiene 5 pezzi (a partire da € 0,358* per pezzo) | | | | | Scegli condizioni | | | | | | | | Prezzi progressivi | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | a partire da 10 pacchetti | | | | a partire da 20 pacchetti | | | | a partire da 50 pacchetti | | | | a partire da 100 pacchetti | | | | a partire da 300 pacchetti | | | | a partire da 900 pacchetti | | | | a partire da 2400 pacchetti | | | | a partire da 4500 pacchetti | | | | a partire da 15000 pacchetti | | | |
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