ONSEMI NVMFS6H818NLT1G MOSFET, CAN N, 80V, 135A, DFN

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0027 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 135 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DFN Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 140 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)