ONSEMI NVMFS3D6N10MCLT1G MOSFET, CAN N, 100V, 132A, DFN

Dissipazione di potenza 139 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023) Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.003 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 132 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DFN Tensione Drain Source Vds 100 V