NEXPERIA PSMN1R3-30YL,115 MOSFET, CAN N, 30V, 100A, LFPAK2

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.00104 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 100 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor LFPAK56E Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 121 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)