NEXPERIA BUK9Y12-100E,115 MOSFET, CAN N, 100V, 85A, LFPAK56

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0091 ohm Gamma di prodotti TrenchMOS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 85 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor LFPAK56 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 238 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)