Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3439683 N. Art. Produtt.:
BUK7Y7R8-80EX EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0059 ohm Gamma di prodotti TrenchMOS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 100 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor LFPAK56 Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 238 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, BUK7Y7R8-80EX, 3439683, 343-9683 |
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