Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3438376 N. Art. Produtt.:
IXFH10N80P EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.1 ohm Gamma di prodotti Polar HiPerFET Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 10 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 300 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFH10N80P, 3438376, 343-8376 |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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