Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-3408709 N. Art. Produtt.: SIHB068N60EF-GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.059 ohm Gamma di prodotti EF Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 41 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 250 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SIHB068N60EF-GE3, 3408709, 340-8709 |
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| | | Offerte (3) | | |
| | Stato magazzino | Quantità min. | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | 3000 | | Franco domicilio | a partire da € 2,378* | € 2,778* | | | | Magazzino 8585 | | | | 1 | | € 14,99* | a partire da € 2,58* | € 5,88* | | | | | | | | | 1 | | € 7,90* | a partire da € 3,65* | € 6,70* | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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