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INFINEON IGLD60R190D1AUMA1 TRANSISTORE GAN, 600V, 10A


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N. Articolo:
     8585-3407386
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IGLD60R190D1AUMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistori
Transistore
Resistenza Drain-Source in conduzione 0.14 ohm Gamma di prodotti CollGaN-Series Carica di gate tipica 3.2 nC Corrente Continua di Drain Id 10 A Stile di Case del Transistor PG-LSON-8-1 Tensione Drain Source Vds 600 V Numero di pin 8 Pin Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), (GaN), Campo, Discreti, Effetto, Nitruro, Semiconduttori, INFINEON, IGLD60R190D1AUMA1, 3407386, 340-7386
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