ROHM RD3H080SPFRATL MOSFET, AEC-Q101, CA-P, 45V, 8A, TO-252

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.065 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 45 V Dissipazione di potenza 15 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)