ROHM R8002CND3FRATL MOSFET, AEC-Q101, CA-N, 800V, 2A, TO-252

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 3.3 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 69 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 5.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)