ROHM R6004PND3FRATL MOSFET, AEC-Q101, CA-N, 600V, 4A, TO-252

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.4 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 65 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)