DIODES INC. DMN6075SQ-13 MOSFET, CAN N, 60V, 2A, 150°C, 0.8W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.069 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 800 mW Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)