VISHAY SIHB17N80E-GE3 MOSFET, CAN N, 800V, 15A, TO-263AB

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.25 ohm Gamma di prodotti E Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 15 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263AB Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 208 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised