VISHAY SIHB105N60EF-GE3 MOSFET, CAN N, 600V, 29A, 150°C, 208W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.088 ohm Gamma di prodotti EF IV Gen Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 29 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 208 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised