VISHAY SISS32LDN-T1-GE3 MOSFET, CAN N, 80V, 63A, 150°C, 65.7W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0058 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 63 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212-8S Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 65.7 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (10-Jun-2022)