Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3236762 N. Art. Produtt.:
NTTFS6H850NLTAG EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0071 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 64 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor WDFN Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 73 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTTFS6H850NLTAG, 3236762, 323-6762 |
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