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INFINEON BSC0702LSATMA1 MOSFET, CAN-N, 60V, 150°C, 83W


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N. Articolo:
     8585-3227614
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BSC0702LSATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0023 ohm Gamma di prodotti OptiMOS Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente Continua di Drain Id 100 A Stile di Case del Transistor TDSON Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 83 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, BSC0702LSATMA1, 3227614, 322-7614
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