VISHAY SQD10950E_GE3 MOSFET, N-CHANNEL 250 V DPAK TO-252

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.1342 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 11.5 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 250 V Dissipazione di potenza 62 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised