STMICROELECTRONICS STD8N80K5 MOSFET, CA-N, 800V, 6A, 110W, TO-252

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.8 ohm Gamma di prodotti MDmesh K5 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente Continua di Drain Id 6 A Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 110 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)