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DIODES INC. DMN1019USN-7 MOSFET, CAN. N, 12V, 9.3A, SC-59


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     8585-3127593
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN1019USN-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.007 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 9.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SC-59 Tensione Drain Source Vds 12 V Dissipazione di potenza 680 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 800 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, DIODES INC., DMN1019USN-7, 3127593, 312-7593
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