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VISHAY SISS42LDN-T1-GE3 MOSFET, CANALE N, 100V, 39A, 150°C, 57W
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3104162
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SISS42LDN-T1-GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0122 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 39 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 57 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (10-Jun-2022)
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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VISHAY
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SISS42LDN-T1-GE3
,
3104162
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310-4162
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