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ROHM SCT3022KLHRC11 MOSFET, CAN N, 1,2KV, 95A, 175°C, 427W


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3052186
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     SCT3022KLHRC11
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.022 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 95 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247N Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 427 W Tensione di soglia Gate-Source massima 5.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ROHM, SCT3022KLHRC11, 3052186, 305-2186
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