VISHAY SISF20DN-T1-GE3 MOSFET, DOPPIO CANALE N, 60V, 52A, 150°C

Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 52 A Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 52 A Resistenza RdsON canale N 0.01 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.01 ohm Dissipazione di potenza canale N 69.4 W Dissipazione di potenza canale P 69.4 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (10-Jun-2022)