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VISHAY SISH106DN-T1-GE3 MOSFET, CAN N, 20V, 12.5A, 150°C, 1.5W


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N. Articolo:
     8585-3019125
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SISH106DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0051 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 12.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (10-Jun-2022)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, mosfet 12a, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SISH106DN-T1-GE3, 3019125, 301-9125
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