VISHAY SIHG80N60EF-GE3 MOSFET, CANALE N, 80A, 600V, TO-247AC

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.028 ohm Gamma di prodotti EF Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 80 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247AC Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 520 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)