VISHAY SIHB120N60E-GE3 MOSFET, CANALE N, 25A, 600V, TO-263

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.104 ohm Gamma di prodotti E Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 25 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 179 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised