ONSEMI FDB20N50F MOSFET, CANALE N, 20A, 500V, TO-263

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.22 ohm Gamma di prodotti UniFET FRFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 20 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 500 V Dissipazione di potenza 250 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023)