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STARPOWER GD200HFY120C2S MODULO IGBT, 1.2KV, 309A, 150°C, 1,006KW


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N. Articolo:
     8585-2986062
Produttore:
     STARPOWER
N. Art. Produtt.:
     GD200HFY120C2S
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente di Collettore continua 309 A Stile di Case del Transistor modulo Terminazione IGBT prigioniero Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 2 V Dissipazione di potenza 1.006 kW Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tecnologia Transistore IGBT Trench Field Stop Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT mezzo ponte
Altri termini di ricerca: Transistore, Array transistor, Array vettore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, STARPOWER, GD200HFY120C2S, 2986062, 298-6062
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