Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2986056 N. Art. Produtt.:
MD200HFR120C2S EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0087 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin - Configurazione modulo MOSFET mezzo ponte Tipo di canale doppio canale N Corrente Continua di Drain Id 299 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza - Tensione di soglia Gate-Source massima 5.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, STARPOWER, MD200HFR120C2S, 2986056, 298-6056 |
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