ONSEMI FCD4N60TM MOSFET CAN N, 600V, 3,9A, 50W, TO-252

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1 ohm Gamma di prodotti SuperFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 3.9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 50 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023)