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ROHM SCT3105KLGC11 MOSFET, CANALE N 1.2KV, 24A, 175°C, 134W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2947070
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     SCT3105KLGC11
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.105 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 24 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247N Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 134 W Tensione di soglia Gate-Source massima 5.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ROHM, SCT3105KLGC11, 2947070, 294-7070
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