VISHAY SQS482ENW-T1_GE3 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.007 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 16 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 62 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)