VISHAY SIHU4N80E-GE3 MOSFET, CANAL N, 800V, 4.3A, 150°C, 69W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.1 ohm Gamma di prodotti E Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-251 Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 69 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)