VISHAY SIHA15N50E-GE3 MOSFET, CANAL N, 500V, 14.5A, 150°C, 33W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.243 ohm Gamma di prodotti E Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 14.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220FP Tensione Drain Source Vds 500 V Dissipazione di potenza 33 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised