Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-2889733 N. Art. Produtt.: LSIC1MO120E0160 EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 20 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.16 ohm Gamma di prodotti LSIC1MO120 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 22 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 125 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, LITTELFUSE, LSIC1MO120E0160, 2889733, 288-9733 |
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| | | Offerte (2) | | |
| | Stato magazzino | | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | Magazzino 8585 | | | | | | € 14,99* | a partire da € 6,84* | € 9,27* | | | | | | | | | | | € 7,90* | a partire da € 8,01* | € 13,24* | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 8585 | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
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