Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-2889709 N. Art. Produtt.:
SIA427ADJ-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.013 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 12 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SC-70 Tensione Drain Source Vds 8 V Dissipazione di potenza 19 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 800 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SIA427ADJ-T1-GE3, 2889709, 288-9709 |
| | |
| | Riepilogo condizioni1 | | | | Tempi di consegna | Stato magazzino | Prezzo | | | | | | |  In magazzino |
| a partire da € 0,845* | | | | Il prezzo è valido a partire da 30.000 pacchetti | | | | | | 1 pacchetto contiene 5 pezzi (a partire da € 0,169* per pezzo) | | | | | Scegli condizioni | | | | | | | | Prezzi progressivi | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | a partire da 10 pacchetti | | | | a partire da 20 pacchetti | | | | a partire da 50 pacchetti | | | | a partire da 100 pacchetti | | | | a partire da 200 pacchetti | | | | a partire da 300 pacchetti | | | | a partire da 30000 pacchetti | | | |
|
| | |
|
|